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內(nèi)存市場地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能
- 據(jù)報道，臺灣DRAM內(nèi)存制造商認為，三星目前已經(jīng)將重點放在了拉大與競爭對手在NAND閃存市場差距。由于在DRAM市場的地位十分穩(wěn)固，三星未來將不 會繼續(xù)加強該市場的投資，因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會比較小。三星此前在全球NAND閃存市場的份額一度達到50%，但目前 已經(jīng)滑落到了40%，而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距，三星可能將會將其NAND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。 外界還認為，受到操縱內(nèi)存價格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響，三星未來在D
- 關鍵字： 三星電子 DRAM 內(nèi)存制造
三星砸錢瞄準東芝 臺DRAM廠喘口氣
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計畫，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?，三星這場充滿殺敵言論的喊話動作，真正用在DRAM產(chǎn)能擴充上應是相當有限，主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn)，三星才有輸不得的壓力，加上三星針對LED、電池、太陽能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心，對于DRAM產(chǎn)業(yè)威脅將低于預期。 三星在5月中旬宣布全球半導
- 關鍵字： 三星電子 DRAM
南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線
- 才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應鏈造成巨大變化。 全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星 根據(jù)DIGITIMES
- 關鍵字： 三星電子 DRAM NAND
DRAM模塊大者越大 金士頓全球市占突破40%
- 存儲器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價庫存變黃金的榮景，但2010年營運則面對嚴峻挑戰(zhàn)，惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢不變，根據(jù)市調(diào)機構 iSuppli最新統(tǒng)計，金士頓2009年全球市占率已達40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預計2010年會提升至242億美元之多。 2009年DRAM價格觸底反彈，存儲器模塊廠營運率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
- 關鍵字： 存儲器 DRAM
擴大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導體產(chǎn)線設置
- 為了擴大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導體制作產(chǎn)線的營運方式，將原本一座工廠內(nèi)設置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運體系。 據(jù)南韓MT News報導，三星23日動工的京畿道華城半導體新工廠名稱，并不是當初預定的17號產(chǎn)線，而命名為16號產(chǎn)線。 三星相關人員指出，過去存儲器半導體市場規(guī)模較小，對于景氣好壞的循環(huán)相當敏感，因此過去采用一座工廠兩條產(chǎn)線方式，以換取投資時差并減低風險。 但目前三星在內(nèi)存市場的規(guī)模已夠大，必須一次擴大生產(chǎn)量規(guī)模
- 關鍵字： 三星電子 DRAM
三星的行動讓業(yè)界生畏
- 三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉變化有待觀察
- 關鍵字： 三星 DRAM NAND
迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產(chǎn)，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術超越臺系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。 三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。 南亞科董事
- 關鍵字： 三星電子 DRAM NAND 50納米
三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的投資計畫，主要以半導體產(chǎn)業(yè)為主，這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來3年PC市場成長率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 權五鉉3月中旬
- 關鍵字： 三星電子 DRAM
5月DRAM合約價出爐 DDR2持平DDR3小漲
- 原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
- 關鍵字： 三星電子 DRAM
歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單
- 歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷，并開出總額達3.31億歐元的罰單。 歐盟委員會當天發(fā)表聲明說，這些企業(yè)在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格，其行為損害了市場競爭，違反歐盟反壟斷規(guī)定。 根據(jù)這一聲明，韓國三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導體生產(chǎn)商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司，分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉，韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據(jù)一半以上份
- 關鍵字： 三星電子 DRAM
三星斥156億美元巨資擴大產(chǎn)能 競爭對手咋舌
- 三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機業(yè)務。此外，加上研發(fā)支出，預計三星今年支出總額將達26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。 據(jù)悉，三星半導體業(yè)務總裁權五鉉3月在出席GSA內(nèi)存大會時還表示，三星不會盲目擴大DRAM顆粒產(chǎn)量，但會重視產(chǎn)品價值，穩(wěn)定產(chǎn)品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能，而是應該把注意力放在工藝升級和高端產(chǎn)品的研發(fā)
- 關鍵字： 三星 DRAM 面板
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