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產(chǎn)業(yè)明顯好轉但是前景仍不明朗
- 全球半導體產(chǎn)業(yè)受金融危機的沖擊已經(jīng)一年過去。此次危機是歷史上最嚴重的一次，所以盡管各國政府都奮力相救，但是由于受損太嚴重，產(chǎn)業(yè)的完全康復仍需要過程與時間。 至此，產(chǎn)業(yè)鏈中各類公司今年前三個季度的財報都已紛紛出籠，正如ICInsight公司所言，如果依季度比較，工業(yè)恢復的過程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹，仍在下降軌跡，半導體的產(chǎn)能利用率在50%以下，各類投資幾乎為零。到Q2時已經(jīng)看到回升的跡象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結束時，部分公司已經(jīng)扭虧為盈，工業(yè)已經(jīng)明顯看到好轉的局面，但是與去年
- 關鍵字： 半導體 DRAM
Intel宣布一項技術突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
- 關鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND
TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金
- 力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟部"很難直接拒絕TFC計劃，尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時拿出TFC計劃，就算不能獲得政府補助，也達到破壞TIMC的目的，臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
- 關鍵字： 力晶 DRAM 內(nèi)存
今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強勁復蘇
- 市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實在復蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個跡象。 iSuppli表示，過去兩個季度終結了DRAM內(nèi)存芯片銷
- 關鍵字： 內(nèi)存芯片 DRAM
iSuppli：DRAM業(yè)復蘇 2010年可望延續(xù)
- 研究機構iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價格連續(xù)增長的幅度，至少創(chuàng)下5年來之最。該機構遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復蘇。 據(jù)國外媒體報道，根據(jù)iSuppli初步預測，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長34%;全球DRAM平均售價上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 iSuppli表示，就全年銷售額來看，全球DRAM市場自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 2007年全球DRA
- 關鍵字： 三星 DRAM
內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉虧為盈
- 最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
- 關鍵字： NAND DRAM 內(nèi)存 存儲
北卡羅萊納州立大學開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術
- 北卡羅萊納州立大學的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 學校的材料科學與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠實現(xiàn)對過程的控制。 Jagdish Narayan認為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價格并不比
- 關鍵字： 內(nèi)存芯片 DRAM
南亞科、華亞科沖刺50納米 明年資本支出逾600億新臺幣
- 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準備沖刺先進制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標2010年第2季全數(shù)轉至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預計2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元，主要用于50納米制程。 南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉，對于先
- 關鍵字： 南亞科 DRAM 50納米 DDR3 68納米
南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景
- 隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因為Vista因素，累計整整3年未換機的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達到史上最高紀錄。 白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
- 關鍵字： 南亞科 DRAM DDR3
力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
- 關鍵字： 力晶 DRAM 存儲器 NAND
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