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日本爾必達(dá)計(jì)劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)
- 日本爾必達(dá)周四稱，計(jì)劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。 爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用愈發(fā)增加。爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體。 爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù)，及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規(guī)模進(jìn)行評論。 日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)稱，爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，臺灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。 這 項(xiàng)先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺北的一次媒體活動中說，企業(yè)要想在未來五年的DRAM市場上 保持競爭力，擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。 采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開更加有效的競爭。當(dāng)前，三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱，使用30納米
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DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠加緊進(jìn)設(shè)備
- 隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機(jī)臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲器封測廠3月接單熱絡(luò)，預(yù)期單月營收應(yīng)可處于歷史高檔水平。 受惠于2010年存儲器市場復(fù)蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強(qiáng)勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機(jī)臺供應(yīng)不及，測試產(chǎn)能不足
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TIMC停擺傳言滿天飛 臺面下耳語連連
- 臺“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥今日將會見DRAM相關(guān)業(yè)者，業(yè)者最期待經(jīng)濟(jì)部如何處理臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)的問題。雖然再造方案面臨停擺，但市場風(fēng)風(fēng)雨雨的傳言卻從未停歇，包括之前傳出TIMC可能會藉瑞晶的殼，執(zhí)行B計(jì)畫來大復(fù)活，導(dǎo)致力晶堅(jiān)持要買回瑞晶股份來提防;再者，TIMC員工并入瑞晶，在新竹辦公室更傳出清算的動作，更被解讀為掩護(hù)TIMC地下化的假動作，然這一切傳言，可望在施顏祥對外說明后，正式告一段落。 「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」回到1年前的原點(diǎn)，尤其在立法院堅(jiān)持杯葛國發(fā)基金
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美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)
- 2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強(qiáng)變成四強(qiáng)鼎立，歐系代表奇夢達(dá)(Qimonda)正式退出市場，也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁，將會是美、日、韓陣營合寫歷史，但目前臺灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未來臺灣分為美、日兩陣營來抵御三星電子(Samsung Electronics )的勢力坐大，惟產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)，最后一名很容易跟隨奇夢達(dá)的命運(yùn)，因此美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)未來競爭會更為激烈，且臺灣將成為美、日兩陣營比劃武功的重要戰(zhàn)場。 DRAM產(chǎn)
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威剛董事長預(yù)計(jì)DRAM市場二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道，威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開始，動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應(yīng)短缺問題，到今年下半年，供需缺口可能會達(dá)到10%。 據(jù)報(bào)道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3，這推動DDR-2芯片價格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。 報(bào)道稱，自春節(jié)假期結(jié)束以來，DDR2現(xiàn)貨價格已上漲6.8%。 威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動器。
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臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。 威剛董事長陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實(shí)缺工問題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會面臨這個問題。 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報(bào)價，1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價2.35美元，創(chuàng)近一個多月新
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51%
- 市場研究公司IC Insights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計(jì)為51%。 “如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計(jì)劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。 大
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲
2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51% 大型芯片廠商領(lǐng)跑
- 市場研究公司IC Insights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計(jì)為51%。 “如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計(jì)劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。 大
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Gartner：今年全球半導(dǎo)體銷售額將增長20%
- 市場研究公司Gartner預(yù)計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體營收將增長20%，達(dá)到2760億美元。 2009年，全球半導(dǎo)體營收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半導(dǎo)體銷售額有望達(dá)到2760億美元，與去年的2310億美元相比將增長19.5%。 Gartner表示，處理器和內(nèi)存是推動2010年半導(dǎo)體營收增長的主要動力。其中，DRAM芯片漲幅將達(dá)到55%。 Gartner預(yù)計(jì)，至少在2014年之前，半導(dǎo)體市場將持續(xù)增長。到2012年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到3040億美元。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 處理器 DRAM 內(nèi)存
iSuppli預(yù)計(jì)今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場將增40%
- 2月24日消息，市場研究公司iSuppli預(yù)計(jì)，今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場增幅將超過40%，也是3年來的首次增長。 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。 iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r間上周四說，“今年DRAM內(nèi)存市場將繼續(xù)去年第四季度的增長趨勢，增長40%。” 推動去年第四季度DRAM
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英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟
- 英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書，稱爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面四項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。 英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術(shù)與研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌在業(yè)界一直處于先進(jìn)半導(dǎo)體制程的領(lǐng)先地位。我們將盡力保護(hù)我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識產(chǎn)權(quán)。&rdqu
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iSuppli：2010年DRAM內(nèi)存市場將增長40%
- 據(jù)市場研究公司iSuppli稱，經(jīng)過連續(xù)三年的下降之后，DRAM內(nèi)存市場2010年的銷售收入將達(dá)到319億美元，增長40%。 iSuppli負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)的高級分析師Mike Howard在聲明中說，2010年將在2009年第四季度增長的基礎(chǔ)上繼續(xù)增長。2009年第四季度整個DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。 2009年第四季度是DRAM內(nèi)存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個季度。據(jù)iSuppli稱，20
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 內(nèi)存
海力士：DRAM恐供給過剩
- DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語，看法與三星大為迥異。 外電報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露，由于各大芯片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM會供給過剩;不過，他認(rèn)為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM
美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局
- 美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，同時也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比，美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預(yù)計(jì)在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程，與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時間點(diǎn)相仿。 2010 年DRAM市場50
- 關(guān)鍵字： Micron 40納米 DRAM
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