TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國大陸內需市場胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續(xù)攀升，預估今(2015)年中國內需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產值高達120億與66.7億美元，分別占全球產值的21.6%與29.1%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，從DRAM需求觀察，近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長。其中，聯想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩(wěn)居
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DRAM NAND
DRAM大廠華亞科(3474)董事長高啟全即將至中國紫光集團出任全球副總裁職務，在中國發(fā)展半導體腳步積極下，牽動全球DRAM三大陣營三星、SK海力士及美光的勢力消長。
對此，記憶體模組大廠威剛(3260)董事長陳立白表示，兩岸在半導體都不是最大競爭對手，最大競爭對手都是韓國，以半導體而言，目前兩岸都還有合作的機會，合作會大于競爭，誰不可能跟臺灣合作，就是韓國，兩岸現在都還有互補機會，因此，樂見高啟全未來扮演籌組臺美中抗韓大聯盟的角色。
對高被挖角，他表示，站在客觀立場，臺灣不可能擋住紅色供
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威剛 DRAM
南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng)新高，再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額，兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。
據市調機構 IHS 統(tǒng)計，三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%，較前季成長 1.1 個百分點，且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀錄。自去年第三季以來，三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。
業(yè)界人士認為三星在 20 奈米制程技術的硬實力，全球無人能敵，是三星得以在 DRAM 半導體業(yè)務上取勝的重要因素，且短期之內
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三星 DRAM
南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng)新高，再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額，兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。
據市調機構 IHS 統(tǒng)計，三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%，較前季成長 1.1 個百分點，且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀錄。自去年第三季以來，三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。
業(yè)界人士認為三星在 20 奈米制程技術的硬實力，全球無人能敵，是三星得以在 DRAM 半導體業(yè)務上取勝的重要因素，且短期之內
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三星 DRAM
中國大陸紅色供應鏈威脅有增無減，IC設計業(yè)者表示，整并壯大自己，是因應對策之一，只是缺乏高級管理人才，將是當前整并發(fā)展趨勢下，臺灣可能面臨的最大問題。
中國大陸政府強力扶植半導體產業(yè)，近年來中國大陸企業(yè)采取挖角與并購并進策略，期能加速半導體產業(yè)發(fā)展。
南亞科總經理高啟全日前退休，并傳將加入中國大陸紫光集團，負責半導體儲存業(yè)務，為國內動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)，甚至是半導體業(yè)拋下震撼彈。
業(yè)界憂心，高啟全若真跳槽紫光集團，在他過去多年與美光協商合作經驗下，有助促成紫光集團與美光合作
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DRAM 紫光
盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業(yè)界預期未來3~4年內存儲器產業(yè)既有平衡競局恐將被打破。
半導體業(yè)者表示，3D NAND技術是未來存儲器產品主流，然技術層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn)，預計2016年真正
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美光 DRAM
紅色供應鏈給臺企帶來了巨大壓力，市場萎縮，人才流失，再也損失不起了。
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DRAM 紫光
南亞科董事長吳嘉昭昨(6)日表示，雖然中國在DRAM產業(yè)急起直追，但至少還要花三年才能追上臺灣。對于前總座高啟全退休前往中國紫光集團發(fā)展，想要創(chuàng)造中美臺合作空間，南亞科新任總經理李培瑛說，一切仍有不確定性，公司目前尚無實質作法。
南亞科昨天舉行臨時董事會，通過高啟全退休案，但仍擔任南亞科董事，并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經理。
吳嘉昭透露，高啟全是在9月18日提出申請退休，對于他的離開感到惋惜，雖然不清楚高的詳細生涯規(guī)畫，但仍給予祝福。
此外，高啟全
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南亞科 DRAM
臺灣過去數十年培養(yǎng)出來的半導體人才，現在一個一個往大陸跑，臺企離沒落不遠了。
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京東方 DRAM
資策會產業(yè)情報研究所(MIC)報告指出，受到新興市場智慧型手機晶片價格快速下滑及需求不佳影響，預估明年全球半導體市場成長率較今年衰退1%，臺灣半 導體產業(yè)在DRAM產值跌幅趨緩之下，明年產值將達2.2兆元微幅年增2.2%。
資策會MIC資深產業(yè)分析師施雅茹表示，今年臺灣半導體 產業(yè)表現不如全球，主要受DRAM與IC設計產值下滑影響，估算今年臺灣IC設計產業(yè)產值約4,971億元新臺幣，年減6%，DRAM產業(yè)產值2,325 億元，年減13%;預估明年可望在DRAM產值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測
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半導體 DRAM
由于12吋晶圓持續(xù)擴大應用至非存儲器領域，使得全球12吋晶圓生產線持續(xù)增加，2015年已超過90條產線，較5年前增加約20條產線，且預計未來4年將再增加近20條產線，相較之下，18吋晶圓商用化時程則會再往后延緩，業(yè)界預期2020年之前將不會有采用18吋晶圓進行大量生產的產線。
12吋晶圓除應用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產的存儲器芯片，亦持續(xù)擴大使用在非存儲器產品，包括電源管理芯片、影像感測器等，甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應市場需求，將芯片產量最大化，半導體廠在1
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晶圓 DRAM
全球DRAM大廠三星昨天傳出下調DRAM報價，調降幅度20%。此舉預告DRAM產業(yè)將在第四季出現一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預期。
繼臺積電前天無預警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。
8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產能轉進高階智慧型手機使用的LP DDR4。
隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低，市場需
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三星 DRAM
全球DRAM大廠三星昨天傳出下調DRAM報價，調降幅度20%。此舉預告DRAM產業(yè)將在第四季出現一波修正期，國內DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預期。
繼臺積電前天無預警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。
8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產能轉進高階智慧型手機使用的LP DDR4。
隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低，市
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三星 DRAM
PROM、EEPROM、FLASH的總結性區(qū)別
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，FLASH是結合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
雖然較大尺寸晶圓的生產材料和技術成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經驗顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術至少會比小尺寸晶圓降低20%。
然而在實務上，要采用大尺寸晶圓生產技術，業(yè)者必須要先行投入大筆經費。因此在資金和技術的障礙下，各業(yè)者往往會采用將現有技術進行效率最大化的方式進行生產，而不是對新開發(fā)的大尺寸晶圓生產技術進行投資。
以最新18吋(450mm)晶圓生產技術的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據調研機構ICInsights最新公布的2015~2
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晶圓 DRAM
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