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07展望
07展望 文章 進(jìn)入07展望技術(shù)社區(qū)
日本新技術(shù)實(shí)現(xiàn)磁盤記錄密度和容量增長(zhǎng)
- 山形富士通、富士通研究所、神奈川科學(xué)技術(shù)研究院(KAST)光科學(xué)重點(diǎn)研究所室益田研究小組共同努力,成功地以25nm間隔在氧化鋁上以一維方式排列出了納米孔(發(fā)布資料)。納米孔是通過(guò)陽(yáng)極氧化形成的。不僅有望實(shí)現(xiàn)記錄密度達(dá)1Tbit/平米英寸的磁記錄,還能將硬盤磁記錄介質(zhì)的記錄容量提高到現(xiàn)有產(chǎn)品的5倍以上。 在1月7日于美國(guó)巴爾的摩舉行的磁技術(shù)國(guó)際會(huì)議“JointMMM/Intermag Conference(MMM-
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Intel欲推新技術(shù)改進(jìn)芯片性能
- Intel技術(shù)和制造小組主管Mike Mayberry表示,他們目前正在研究一種新的晶體管設(shè)計(jì),以便于讓他們的處理器能裝入更多存儲(chǔ)器,提高產(chǎn)品性能。公司準(zhǔn)備在本周舉行的IEDM 2006(International Electron Devices Meeting)大會(huì)上發(fā)表他們的“浮體單元(floating-body cell)”計(jì)劃。 Mayberry的任務(wù)是生產(chǎn)更小的晶體管,浮體單元技術(shù)的目標(biāo)就是提高緩存密度。緩存用來(lái)存儲(chǔ)頻繁讀寫的數(shù)據(jù),它
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電腦筆記本屏幕2007大變臉 新技術(shù)剖析
- 與臺(tái)式LCD顯示器相比,筆記本電腦的屏幕比較特殊,由于其不可升級(jí)性,決定了消費(fèi)者選購(gòu)時(shí)對(duì)屏幕的表現(xiàn)力期望較高;而另一方面,由于體積及功耗限制,并非所有的屏幕先進(jìn)技術(shù)都能應(yīng)用到筆記本電腦屏幕當(dāng)中去。筆記本屏幕的技術(shù)演進(jìn)就在這樣的原生矛盾中前行。 Part1:主流筆記本屏幕表現(xiàn) 普通屏幕采用防眩光技術(shù),將偏光膜表面加工做成凹凸?fàn)?,將光線均勻分散,達(dá)到防眩光(AG)的效果。AG技術(shù)同時(shí)也造成從液晶面板射出
- 關(guān)鍵字: 07展望 電腦筆記本屏幕
WiMax、Web2.0及Wi-Fi或?qū)⒊蔀?007年亮點(diǎn)
- 據(jù)國(guó)外媒體最新報(bào)道,根據(jù)美國(guó)知名IT產(chǎn)業(yè)分析機(jī)構(gòu)IDC對(duì)亞太電信業(yè)進(jìn)行了十大預(yù)測(cè),其中提到WiMax、Web 2.0及公共Wi-Fi將是今年的亮點(diǎn)。 IDC亞太地區(qū)通訊及外圍設(shè)備研究副總裁Sandra Ng表示,更多的運(yùn)營(yíng)商將會(huì)發(fā)現(xiàn)WiMax是一種極富吸引力的技術(shù),它能夠提供經(jīng)濟(jì)的網(wǎng)絡(luò)連接,不需要設(shè)備與基站的對(duì)準(zhǔn)。 &
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商業(yè)周刊:芯片廠商07年的日子為什么難過(guò)
- 12月14日《商業(yè)周刊》文章指出,半導(dǎo)體廠商都十分看好2008年的發(fā)展前景,但是他們必須首先迎接明年的挑戰(zhàn)。 半導(dǎo)體廠商們也許認(rèn)為2008年的發(fā)展前景十分光明,但是他們必須首先過(guò)了2007年的難關(guān)才行。 每年的一月份,電腦芯片、數(shù)碼相機(jī)芯片、手機(jī)芯片和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品芯片的市場(chǎng)需求一般都會(huì)出現(xiàn)季節(jié)性的減少。而且一般都需要再過(guò)兩個(gè)季度市場(chǎng)需求才會(huì)再度火熱起來(lái)并達(dá)到另一個(gè)技術(shù)狂熱的假期銷售旺季。 但是,每年的年初銷售淡季來(lái)臨時(shí),總有一些異
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游戲機(jī)未來(lái)之戰(zhàn)演變成平臺(tái)之爭(zhēng)
- 發(fā)生在新一代游戲機(jī)之間的競(jìng)爭(zhēng)已不單單是新品的競(jìng)爭(zhēng),而將演變成為一場(chǎng)個(gè)人娛樂(lè)平臺(tái)的未來(lái)之戰(zhàn)。 2006年的11月對(duì)于全球的游戲迷們來(lái)說(shuō),簡(jiǎn)直是一個(gè)狂歡的時(shí)節(jié)。索尼、任天堂的下一代,不,準(zhǔn)確說(shuō)應(yīng)該是新一代游戲機(jī)相繼上市。 早在11月10日,PS3日本開(kāi)售前的晚上,日本大阪的YA游戲店就已經(jīng)聚集了1200多人,為搶購(gòu)只有幾十臺(tái)現(xiàn)貨的PS3,現(xiàn)場(chǎng)混亂,店員不得不全體出動(dòng)維持秩序;在美國(guó),17日為PS3的正式發(fā)售時(shí)間,PS粉絲們?cè)诖饲笆?,就?/li>
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愛(ài)立信:2007年全球通信業(yè)5大熱點(diǎn)
- 2006年是全球電信產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵一年,移動(dòng)寬帶應(yīng)用步伐開(kāi)始加快,行業(yè)融合日漸深入,電信行業(yè)把目光轉(zhuǎn)向新利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)的創(chuàng)造、新業(yè)務(wù)和新商業(yè)模式的開(kāi)發(fā)。在2007年到來(lái)之際,愛(ài)立信提出了2007年全球電信業(yè)的5大熱點(diǎn)。 熱點(diǎn)之一:HSPA使移動(dòng)寬帶成為現(xiàn)實(shí) 2006年,是HSPA技術(shù)大規(guī)模商用的一年。根據(jù)GSM協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),截至2006年12月,全球已有137個(gè)運(yùn)營(yíng)商計(jì)劃在62個(gè)國(guó)家開(kāi)展HSDPA商用,其中89個(gè)網(wǎng)絡(luò)在美國(guó)、加拿大等50個(gè)國(guó)家已經(jīng)商用,有24個(gè)HSDPA網(wǎng)絡(luò)已開(kāi)通3.6Mbps的業(yè)
- 關(guān)鍵字: 07展望 愛(ài)立信 通信
CES展聚焦潮流技術(shù) 新技術(shù)相對(duì)不會(huì)太熱門
- 每年一度的CES國(guó)際消費(fèi)電子展,今年將會(huì)聚焦在那些支撐當(dāng)前潮流的技術(shù)上,而那些可能為消費(fèi)者開(kāi)辟新天地的技術(shù)則相對(duì)而言并不會(huì)太熱門。 據(jù)infoworld.com 報(bào)道,“聯(lián)網(wǎng)”的數(shù)字家庭和高清晰視頻產(chǎn)品,其市場(chǎng)接受程度并沒(méi)有如去年CES展會(huì)預(yù)料的那樣大發(fā)展,因此在周一至周四于拉斯維加斯舉辦的CES展會(huì)上,它們依舊會(huì)是焦點(diǎn)。此次展會(huì)預(yù)計(jì)將近15萬(wàn)參觀者。 按照慣例,CES將特別展示那些行業(yè)巨頭,比如微
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CES2007:縱覽視頻新技術(shù)
- 先鋒公布等離子新技術(shù) 一直以來(lái),黑色表現(xiàn)的不足始終是困擾平板顯示效果的一大障礙,而先鋒在CES 2007公布了最新開(kāi)發(fā)的等離子顯示技術(shù),宣稱可以徹底解決等離子電視在顯示黑色方面的不足,一勞永逸的解決這個(gè)問(wèn)題。 對(duì)于新技術(shù)雖然沒(méi)有太多的信息公布,僅僅公布了新面板、濾光器和處理電路(ASIC)的組合。并且表示,可以實(shí)現(xiàn)“無(wú)視照明狀態(tài),超越液晶及SED(編注:先鋒抬舉液晶了…),表現(xiàn)極致的黑?!边@樣一種效果。 &nb
- 關(guān)鍵字: 07展望 等離子 先鋒 等離子顯示 PDP
2007年新技術(shù)展望
- 1999年是網(wǎng)絡(luò)音樂(lè)(Napster),2004年是MySpace,2006年是網(wǎng)絡(luò)視頻(YouTube),技術(shù)領(lǐng)域的專家們期待2007年將改變?nèi)藗児ぷ鳌⒂螒?、和交流方式的革新是什么呢? 重新控制 史蒂夫
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半導(dǎo)體:新產(chǎn)品迭出 新技術(shù)紛呈
- 全球進(jìn)入65納米時(shí)代 2006年隨著65納米工藝的成熟,英特爾公司65納米生產(chǎn)線步入大批量生產(chǎn)階段。除英特爾外,美國(guó)德州儀器、韓國(guó)三星、日本東芝等世界上重要的半導(dǎo)體廠商的65納米生產(chǎn)線也紛紛投產(chǎn)。 在65納米工藝上,IBM等公司開(kāi)發(fā)出了快速CMOS技術(shù)。他們采用了SiGe的應(yīng)變硅技術(shù)和SiN薄層,使所開(kāi)發(fā)的nMOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電流為1.259mA/μm,pMOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電流為0.735mA/μm。該快速M(fèi)OS晶體管的漏電流在斷開(kāi)狀態(tài)下僅為200pA/μm。除應(yīng)變硅技術(shù)外,還采用了先進(jìn)的10層布
- 關(guān)鍵字: 07展望 半導(dǎo)體
07展望介紹
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