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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 高壓cv測試

            MOSFET器件的高壓CV測試詳解

            • _____MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率,設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如,設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容,因為這將影響開關(guān)速度,從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。圖1 功率MOSFET的組件級電容三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待:組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如,圖1說明了一個功率MOSFET的組件級電容
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            高壓cv測試介紹

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