非線性電容 文章 進入非線性電容技術(shù)社區(qū)
計算MOSFET非線性電容
- 最初為高壓器件開發(fā)的超級結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜?！ OSFET三個相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關(guān)鍵字： MOSFET 非線性電容
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非線性電容介紹
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