靜態(tài)隨機存儲器(sram) 文章 進入靜態(tài)隨機存儲器(sram)技術社區(qū)
基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲方式解析方案
- 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn),當前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢,特別是在需要進行大規(guī)模運算的通信領域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲方式,掉電后數(shù)據(jù)消失,
- 關鍵字: SRAM FPGA 數(shù)據(jù)存儲 方式
一種基于MCU內部Flash的在線仿真器設計方法
- 摘要:提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法,并完成了設計和仿真。 ...
- 關鍵字: 微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM
富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作
- 富士通半導體有限公司和SuVolta公司宣布,通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。 從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務器,以及網(wǎng)絡設備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電
- 關鍵字: 富士通 SRAM
富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊
- 富士通半導體和SuVolta宣布,通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術細節(jié)和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。 從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務器,以及網(wǎng)絡設備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素
- 關鍵字: 富士通 SRAM
靜態(tài)隨機存儲器(sram)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條靜態(tài)隨機存儲器(sram)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對靜態(tài)隨機存儲器(sram)的理解,并與今后在此搜索靜態(tài)隨機存儲器(sram)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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