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日美公司制成最小靜態(tài)隨機存取儲器元件
- 日本東芝公司、美國ＩＢＭ和ＡＭＤ公司17日聯(lián)合發(fā)表新聞公報說，這3家公司共同利用鰭式場效晶體管開發(fā)出面積僅0．128平方微米的靜態(tài)隨機存取存儲器（ＳＲＡＭ）元件，并確認這種世界上最小的ＳＲＡＭ元件能夠正常工作。 公報說，以往使用平面晶體管制造ＳＲＡＭ元件時，半導體廠家通常依靠向元件內(nèi)注入大量混合物來調(diào)節(jié)晶體管的特性，從而縮小晶體管的體積。但是，這樣的調(diào)節(jié)方法容易造成晶體管特性參差不齊，從而導致ＳＲＡＭ元件穩(wěn)定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鰭式場效晶體管，被業(yè)界認為可以替代以往的
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隨機存取儲器介紹
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