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阻變存儲(chǔ)器
阻變存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入阻變存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
全球首款28nm嵌入式RRAM畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片正式量產(chǎn)
- 據(jù)北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內(nèi)嵌RRAM（阻變存儲(chǔ)器）畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片在京量產(chǎn)，并成功應(yīng)用于國(guó)內(nèi)頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標(biāo)志著我國(guó)顯示類芯片達(dá)到新的半導(dǎo)體工藝高度。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，當(dāng)前全球半導(dǎo)體頂尖工藝已經(jīng)來(lái)到2nm時(shí)代，但對(duì)于半導(dǎo)體顯示來(lái)說(shuō)，綜合考慮成本問(wèn)題，28nm是目前國(guó)內(nèi)工藝的天花板。畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片要求集成各種補(bǔ)償算法，開發(fā)難度高，制造要求先進(jìn)邏輯制程，是顯示芯片品類國(guó)產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。為推動(dòng)中國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
- 關(guān)鍵字： 顯芯科技 28nm RRAM 阻變存儲(chǔ)器
最新阻變存儲(chǔ)器RRAM技術(shù)可在單芯片中存下1TB數(shù)據(jù)
- 阻變存儲(chǔ)器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)部存儲(chǔ)器，相比現(xiàn)在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時(shí)還非常節(jié)能。今天，加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù)，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數(shù)據(jù)，這意味著未來(lái)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度將極大地提高，同時(shí)RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時(shí)的功率僅為1/20。 取決于不同的設(shè)備，RRAM可以將設(shè)備電池壽命延長(zhǎng)數(shù)周、數(shù)月甚至數(shù)年，使用壽命也10倍于NAND，可以說(shuō)是一種完美的高速存儲(chǔ)器。C
- 關(guān)鍵字： 阻變存儲(chǔ)器 RRAM
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阻變存儲(chǔ)器介紹
阻變式存儲(chǔ)器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的電阻在外加電場(chǎng)作用下可在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的一類前瞻性下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)器.它具有在32nm節(jié)點(diǎn)及以下取代現(xiàn)有主流Flash存儲(chǔ)器的潛力,成為目前新型存儲(chǔ)器的一個(gè)重要研究方向?！ D1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)結(jié)構(gòu)示意圖,其上下電極之間是能夠發(fā)生電阻轉(zhuǎn)變的阻變層材料。在 [ 查看詳細(xì) ]
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