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軟性憶阻器
軟性憶阻器 文章 進(jìn)入軟性憶阻器技術(shù)社區(qū)
DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
- 據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新，但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對(duì)外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。 根據(jù)《CENT》報(bào)導(dǎo)，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
- 關(guān)鍵字： 惠普 DRAM 內(nèi)存 軟性憶阻器
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軟性憶阻器介紹
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