全新納米級3D晶體管面世

• 據(jù)報道，近日，美國麻省理工學(xué)院團隊利用超薄半導(dǎo)體材料，成功研制出一種全新的納米級3D晶體管。這是迄今已知最小的3D晶體管，其性能和功能可比肩甚至超越現(xiàn)有硅基晶體管，將為高性能節(jié)能電子產(chǎn)品的研制開辟新途徑。相關(guān)論文發(fā)表于《自然·電子學(xué)》雜志。據(jù)悉，團隊利用由銻化鎵和砷化銦組成的超薄半導(dǎo)體材料，研制出的這款新型3D晶體管，不僅性能與目前最先進的硅晶體管相當(dāng)，還能在遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)晶體管的電壓下高效運行。此外，團隊還將量子隧穿原理引入新型晶體管架構(gòu)內(nèi)。在量子隧穿現(xiàn)象中，電子可以穿過而非翻越能量勢壘，這使得晶體管更容易
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