- 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate P
- 關鍵字：
碳化硅芯片 設計和制造 安森美
設計和制造介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條設計和制造!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對設計和制造的理解，并與今后在此搜索設計和制造的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
