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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 英飛凌

            IGBT安全工作區(qū)(SOA)知多少

            • 失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深層原因與整機(jī)的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計(jì)是密切相關(guān)的。作為電力電子研發(fā)工程師,最不想見到的畫面之一一定有下面這樣的圖片,完了,BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深層原因與整機(jī)的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計(jì)是密切
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  

            英飛凌推出新款高能效IPOL DC-DC降壓穩(wěn)壓電源模塊

            • 當(dāng)前,服務(wù)器、通信和網(wǎng)絡(luò)存儲應(yīng)用都在盡最大努力降低功耗和縮減解決方案的尺寸。與此同時,瞬息萬變的市場也要求系統(tǒng)解決方案提供商比以往更快地滿足市場需求。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出了高效、可靠的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器模塊,進(jìn)一步壯大其POL(負(fù)載電源)模塊的產(chǎn)品陣容。這些模塊對于希望借助緊湊、完全集成和易于設(shè)計(jì)的POL產(chǎn)品來幫助他們加快新產(chǎn)品上市的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師而言,是理想的選擇。它們主要面向空間和散熱條件受限的應(yīng)用,例如電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用、服務(wù)器以及
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            第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存

            • 受訪人:英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據(jù)其不同的特性,分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品?  相似之處:相較于傳統(tǒng)的硅材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性?! 〔煌幖胺謩e適用于哪些應(yīng)用:碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料之間也存在著諸多差異?!?/li>
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            英飛凌與Oxford Ionics攜手開發(fā)先進(jìn)的離子阱量子處理器

            • 英飛凌科技股份公司和Oxford Ionics宣布雙方將攜手打造完全集成的高性能量子處理器(QPU)。Oxford Ionics獨(dú)特的電子量子比特控制(EQC)技術(shù)與英飛凌全球領(lǐng)先的工程、制造能力以及在量子科技方面的技術(shù)專長相結(jié)合,將為在未來五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)數(shù)百量子比特的量子處理器的工業(yè)化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。雙方的合作旨在讓量子計(jì)算技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向應(yīng)用場,轉(zhuǎn)化為真正的工業(yè)級解決方案。 Infineon ion trap許多行業(yè)正在尋求從根本上改進(jìn)其流程和能力,量子計(jì)算將為它們開啟算力新時代。而實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),
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            哪吒汽車與英飛凌宣布就電動汽車電池管理整體解決方案進(jìn)行技術(shù)合作

            • 7月8日,全球首屈一指的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技與合眾新能源旗下的哪吒汽車在中國桐鄉(xiāng),共同舉辦哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術(shù)合作發(fā)布儀式。來自哪吒汽車和英飛凌科技(中國)有限公司的嘉賓共同參與了該發(fā)布儀式。?哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術(shù)合作發(fā)布儀式BMS電池管理系統(tǒng)是電池的“大腦”,也是新能源汽車產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一。雙方合作開發(fā)的BMS系統(tǒng)級解決方案,包括了哪吒汽車自研的天工電池,及英飛凌 AURIX?微控制器、12通道AFE、電源管理芯片等產(chǎn)品,滿足ASIL D的系
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  電動汽車  電池管理  

            英飛凌與臺達(dá)雙強(qiáng)連手:以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競電源市場

            • 數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨(dú)特的技術(shù)特性,能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠,長期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域,今日宣布深化其合作,強(qiáng)化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用,為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  寬帶隙  電源  

            英飛凌推出高度集成的MOTIX?電機(jī)控制器和三相柵極驅(qū)動器

            • 憑借其眾多優(yōu)點(diǎn),三相無刷直流(BLDC)電機(jī)正在成為設(shè)計(jì)現(xiàn)代化電池供電型電機(jī)產(chǎn)品的首要選擇。然而,為了讓產(chǎn)品符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)并延長電池的使用壽命,需要縮小產(chǎn)品的尺寸并減輕重量,這給產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來了巨大挑戰(zhàn)。為了幫助設(shè)計(jì)師滿足終端市場的需求,英飛凌科技股份公司推出了完全可編程的電機(jī)控制器MOTIX? IMD700A和IMD701A。它們采用9 x 9 mm2 64引腳VQFN封裝,能夠讓無線電動工具、園藝用品、無人機(jī)、電動自行車以及自動導(dǎo)引車擁有更高的集成度以及功率密度,從而滿足用戶需求。?MOTI
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  電機(jī)控制器  柵極驅(qū)動器  

            英飛凌與Aqara綠米攜手推出搭載毫米波雷達(dá)的智能家居解決方案

            • 人體存在感知是智能家居中極其重要的一項(xiàng)應(yīng)用技術(shù),智能家居設(shè)備通過精準(zhǔn)地感知人體存在和狀態(tài),做出相應(yīng)的響應(yīng)或互動。但長期以來,人體傳感器卻普遍存在不夠精準(zhǔn)、無法對靜態(tài)人體進(jìn)行監(jiān)測等問題。 針對這一問題,全球半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技(簡稱英飛凌)與全屋智能領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Aqara綠米合作,推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案,即Aqara人體存在傳感器FP1。該產(chǎn)品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗(yàn)館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準(zhǔn)的XENSIV?毫
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  毫米波雷達(dá)  智能家居  

            仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題

            • 這篇微信文章,其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章,其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇:●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒:仿真只是工具,仿真無法替代實(shí)驗(yàn),仿真只供參考。在展開
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  

            采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

            • 變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關(guān)鍵器件,其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小,也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應(yīng)用特點(diǎn)出發(fā),結(jié)合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運(yùn)行結(jié)溫等特點(diǎn),介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應(yīng)用。本文通過分析變頻器的損耗組成,并通過熱仿真對比第四代IGBT和第七代IGBT的性能,最后通過實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證結(jié)論。相同工況下IGBT7損耗和結(jié)溫明顯低于IGBT4,這樣可以減小變頻器的體積或是
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  

            分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

            • 米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng),硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是,這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎?引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅(qū)動電路。為此,本文介紹了
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌   MOSFET  

            如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動態(tài)特性

            • CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低,它們的效率很高,因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。但盡管如此,工程師需要了解器件的靜態(tài)和動態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù),以實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在下面的文章中,我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。溫度對CoolSiC? MOSFET導(dǎo)通特性的影響MOSFET靜態(tài)輸出特性的關(guān)鍵參數(shù)是漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線,如圖1左側(cè)所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理,隨著溫度的
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  

            英飛凌OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)珠聯(lián)璧合,輕松安全地將物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端

            • 在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中,信任機(jī)制是設(shè)備與云服務(wù)之間進(jìn)行各種交互的基石。因此,必須為每臺設(shè)備提供唯一的可信身份標(biāo)識,以便在設(shè)備連接入網(wǎng)時進(jìn)行安全身份認(rèn)證。與此同時,為成千上萬臺設(shè)備提供安全I(xiàn)D,對OEM廠商來說是一個不小的挑戰(zhàn)。為了幫助OEM廠商應(yīng)對這些挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)將OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)相結(jié)合,推出了一款高端安全解決方案,為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端提供硬件信任錨。 &
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  安全芯片  

            具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

            • 過去幾年,實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年,實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化,現(xiàn)在,全新推出的CoolSiC? MO
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

            英飛凌推出高分辨率車用3D影像傳感器

            • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車智慧座艙,支持新服務(wù)的無縫接入,并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求,以及實(shí)現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技(Infineon)與專注于3D ToF(飛時測距)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開發(fā)出了第二代車用REAL3影像傳感器,該傳感器符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。英飛凌3D感測業(yè)務(wù)副總裁Christian Herzum表示,在針對行動消費(fèi)終端的3D傳感器領(lǐng)域,英飛凌一直處
            • 關(guān)鍵字: ISO 26262  英飛凌  3D影像傳感器  
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            英飛凌介紹

            英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,至今在世界擁有35,600多名員工,2004財(cái)年公司營業(yè)額達(dá)71.9億歐元,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計(jì)算機(jī)安全以及芯片卡市場提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā),全球共擁有41,000項(xiàng)專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細(xì) ]

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