英特爾 文章 進(jìn)入英特爾技術(shù)社區(qū)
高通英特爾三星已搶先一步 華為5G芯片研發(fā)需提速
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- 華為貴為全球最大電信設(shè)備商,在5G通信設(shè)備方面是完全跟上了5G商用步伐的,只是在5G芯片方面稍微遲緩,而其高管則表示2019年中國預(yù)商用5G的時候拿出5G芯片是沒問題的,不過目前來看它正在落后于競爭對手。 通信設(shè)備方面,早在2015年華為就與日本運(yùn)營商N(yùn)TT DoCoMo對5G試驗網(wǎng)進(jìn)行了測試,目前在中國IMT-2020(5G) 推進(jìn)組組織的中國5G技術(shù)研發(fā)試驗第二階段測試中,其也率先完成5G-NR下的3.5GHz頻段外場性能測試,系統(tǒng)性能滿足ITU-R定義指標(biāo),在全球多個運(yùn)營商組織的測試中
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英特爾入局人工智能生態(tài)圈:AI坐診離我們還有多遠(yuǎn)?
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- 1996年夏季的一天,瑞典蘭德大學(xué)附屬醫(yī)院,冠狀動脈特護(hù)病房的五十歲的漢斯.沃林主任坐在辦公室里,他的辦公桌上堆著2240份心電圖。他獨(dú)自一個人在辦公室里審閱他們,并把代表疾病發(fā)作的心電圖挑選出來,為了避免疲倦帶來的疏忽,他每兩個小時休息一次——這就是醫(yī)學(xué)界的深藍(lán)大戰(zhàn)。沃林就是心臟病學(xué)的棋王卡斯帕羅夫,他將與電腦進(jìn)行閱讀心電圖的世紀(jì)對決。 21年后的今天,類似的對決還在進(jìn)行,不同的是,我們對人工智能的認(rèn)識已經(jīng)不同于以往,對AI所觸及的另一個世界也有了更多的期待。 英
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英特爾頹勢漸露 移動芯片市場遭三星與高通搶灘
- 半導(dǎo)體芯片龍頭英特爾最近有點兒不平靜。 前幾日,三星宣布其與IBM、GlobalFoundries組成的聯(lián)盟成功開發(fā)出業(yè)界第一個全新硅納米片晶體管,并稱該晶體管制造技術(shù)采用全新四層堆疊納米材料,為研發(fā)5nm芯片奠定基礎(chǔ),能將移動設(shè)備尤其是智能手機(jī)的電池壽命提升2至3倍。 從14nm、10nm到7nm、5nm,在芯片制造技術(shù)上,三星近幾年來風(fēng)生水起。而英特爾始終堅持14nm芯片技術(shù),并表示今年將開始制造10nm芯片。 “英特爾還在堅守14納米制程,在三星與IBM研發(fā)出5納米
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英特爾:5G將密度轉(zhuǎn)化為商機(jī)
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- 2017年IMT-2020(5G)峰會將于6月12日在北京開幕,分享5G標(biāo)準(zhǔn)、試驗、應(yīng)用、發(fā)展前景和經(jīng)濟(jì)社會影響等方面的最新進(jìn)展和主要觀點。從本次峰會展示的豐富成果中,我們可以窺見5G在中國的火熱發(fā)展和加速推進(jìn)。 英特爾公司通信與設(shè)備事業(yè)部5G業(yè)務(wù)與技術(shù)總經(jīng)理Rob Topol近日撰寫博文,從全球視角分析了5G在亞洲帶來的經(jīng)濟(jì)社會影響。他認(rèn)為,5G有望解決亞洲大量用戶需求的挑戰(zhàn),并為前景廣闊的亞洲市場帶來前所未有的商機(jī);我們看到,以中日韓為代表的亞洲正在引領(lǐng)5G的發(fā)展。
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英特爾被訴芯片設(shè)計存在缺陷致手機(jī)起火
- 據(jù)《財富》雜志北京時間6月13日報道,英特爾公司曾試圖打開智能機(jī)處理器市場,但最終空忙一場,損失了數(shù)十億美元。現(xiàn)在,一家巴西手機(jī)銷售商又盯上了英特爾銷售慘淡的移動芯片,認(rèn)為部分芯片存在缺陷。 巴西手機(jī)銷售商Qbex Computadores周一在美國加州地方法院對英特爾提起訴訟。Qbex在起訴書中稱,他們售出了數(shù)千部包含英特爾SoFIA芯片的手機(jī),但是由于英特爾的芯片設(shè)計缺陷引發(fā)了過熱問題,這些手機(jī)出現(xiàn)了起火現(xiàn)象。Qbex稱,3.5萬名用戶已經(jīng)向其投訴了這一問題,4000名用戶已經(jīng)在巴西提起訴訟
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英特爾宣布2020年到2021年間量產(chǎn)7nm
- 根據(jù)外電指出,半導(dǎo)體大廠英特爾(intel)在一項針對投資者的說明會中表示,他們將會在 2020 年量產(chǎn) 7 奈米制程處理器。 這個時間點相較于競爭對手臺積電、格羅方德、三星預(yù)計將在 2018 年量產(chǎn) 7 奈米的時程來說來說,已經(jīng)是晚了 2 年的時間。 但是,英特爾在宣布此項計劃的當(dāng)下還有其但書,那就是萬一制程發(fā)展不順利的情況下,還將延后到 2021 年正式量產(chǎn)。 報導(dǎo)指出,相較臺積電、三星在 10 奈米制程,以及未來的 7 奈米、甚至 5 奈米制程技術(shù)上的推進(jìn),英特爾在新制程的轉(zhuǎn)換上是要落后一
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NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu),即:單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中,MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu),由英飛凌與Saifun合作開發(fā),但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息,以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點,Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點,就是面積容量相對比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
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英特爾10nm制程進(jìn)展:Cannon Lake在路上
- 根據(jù)路線圖,英特爾第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake將于17年下半年面世,英特爾今日通過推特透露最新10nm進(jìn)程進(jìn)展,該公司稱第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake已經(jīng)在路上,而第二代10nm制程處理器Ice Lake也已經(jīng)完成最終設(shè)計,10nm制程達(dá)成新里程碑。 推文中的“在路上”或許是英特爾在強(qiáng)調(diào)Cannon Lake芯片將會遵守路線圖,于今年下半年開始出貨,并且在明年上半年進(jìn)行大批量出貨,破除此前的跳票傳聞。10nm制程的Cannon L
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英特爾介紹
公司簡介
英特爾公司(Intel Corporation)(NASDAQ:INTC,港交所:4335),總部位于美國加利弗尼亞州圣克拉拉。英特爾的創(chuàng)始人Robert Noyce和Gordon Moore原本希望他們新公司的名稱為兩人名字的組合——Moore Noyce,但當(dāng)他們?nèi)スど叹值怯洉r,卻發(fā)現(xiàn)這個名字已經(jīng)被一家連鎖酒店搶先注冊。不得已,他們采取了“INTegrated Electron [ 查看詳細(xì) ]
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