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IC芯片 晶圓級 射頻測試 I-V/C-V測試
- 解決問題：脈沖I-V測試 ——納米測試小技巧
在對納米器件進行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時通常需要測量非常小的電壓或電流，因為其中需要分別加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應。這里，低電平測量技術不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電導率材料的電阻測量都非常重要。利于研究人員和電子行業(yè)測試工程師而言，這一功耗限制對當前的器件與材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑戰(zhàn)。
與微米級元件與材料的I-V曲線生成不同的是，對納米材料與器件的測量需要特殊的
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吉時利 納米測試 脈沖I-V測試
- 通用測試
電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。
這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產品和良率增強工程師也是極其重要的，
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吉時利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
脈沖i-v測試介紹
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