能源基礎(chǔ)設(shè)施文章進(jìn)入能源基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)社區(qū)

要降本增效還要更可靠！能源基礎(chǔ)設(shè)施升級靠它們了！

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實(shí)際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，并展示了設(shè)計(jì)人員該如何最好地應(yīng)用它們來優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器性能，以應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。從電動汽車 (EV) 充電站和太陽能逆變器到能源儲存和不間斷電源系統(tǒng)，能源基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)人員持續(xù)面臨著減少碳排放量、提高可靠性和降低成本的挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，他們需要仔細(xì)研究如何&n
關(guān)鍵字： Digikey 能源基礎(chǔ)設(shè)施

憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及可靠高效的下一代功率半導(dǎo)體，安森美將為能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時間?中國上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。與同類競品相比，這些新器件在現(xiàn)實(shí)條件下實(shí)現(xiàn)了更低的開關(guān)損耗，能夠滿足下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的更高性能要求。隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，
關(guān)鍵字： e絡(luò)盟安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施

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