性能提高44%，三星計劃2納米制程加入背后供電技術

• 在與臺積電的競爭之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構，已成功量產(chǎn)，照三星半導體藍圖分析，2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米，更先進1.4納米預定2027年量產(chǎn)。韓國媒體The Elec報導，三星計劃使用背面供電網(wǎng)絡(BSPDN)技術用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星技術論壇SEDEX 2022介紹BSPDN細節(jié)。從過去高K金屬柵極技術到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，F(xiàn)inFET仍是半導體制程最主流技術，之前稱為3
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