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	絕緣柵雙極管(igbt)
      

      
	
      
    	
      
    	  	
      
              	
      
                	
      絕緣柵雙極管(igbt) 文章
                  進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)  
                  
      
                
      
                                
      
                  

                                
      
                    
      Power Integrations推出全新5A峰值電流門極驅動器，可降低系統(tǒng)復雜度及成本
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 　　中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成員SID1102K —— 采用寬體eSOP封裝的單通道隔離型IGBT和MOSFET門極驅動器。新器件具有5 A峰值驅動電流，在不使用推動級的情況下可驅動300 A開關器件;可以使用外部推動級以高性價比的方式將門極電流增大到60 A峰值。該器件可同時為下管和上管推動級MOSFET開關提供N溝道驅動，從而降低系統(tǒng)成本、減小開
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      • 關鍵字：
                        Power Integrations  IGBT                          
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      MOS管功率損耗竟然還可以這么測
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 　　MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC?MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?　　1.1功率損耗的原理圖和實測圖　　一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計。　　??
　　圖?1開關管工作的功
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      • 關鍵字：
                        MOS管  IGBT                          
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      IGBT應用電子電路設計圖集錦 —電路圖天天讀（189）
      
                                                            
        
                    	
      • IGBT應用電子電路設計圖集錦 —電路圖天天讀（189）-IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，它既有功率MOSFET易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著優(yōu)點。
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      • 關鍵字：
                        IGBT  驅動電路  逆變器                          
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      如何確保MOS管工作在安全區(qū)
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 　　電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關。　　我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！　∫?、什么是安全工作區(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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      • 關鍵字：
                        MOSFET  IGBT                          
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      功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升
      
                                                            
        
                    	
      • 功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升-汽車功率電子組件（例如IGBT）的設計必須能負荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán)，同時得承受高達 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關鍵，而同時故障成本也會是一個很大的問題。隨著工業(yè)電子系統(tǒng)對能量需求的增加，汽車功率電子設備和組件的供貨商所面臨的最大挑戰(zhàn)就是提供汽車OEM業(yè)者所需更高可靠度的系統(tǒng)。
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      • 關鍵字：
                        IGBT  功率循環(huán)測試  汽車電子                          
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      關于變頻器控制電機有漏電問題的解決方案
      
                                                            
        
                    	
      • 關于變頻器控制電機有漏電問題的解決方案-　　有的現(xiàn)場使用變頻器控制電機，會出現(xiàn)漏電問題，漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對這個問題，在這里特對此故障產(chǎn)生的原因進行理論的分析和說明如下。
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      • 關鍵字：
                        變頻器  IGBT  濾波器                          
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      工業(yè)電機驅動IGBT過流和短路保護的問題及處理方法
      
                                                            
        
                    	
      • 工業(yè)電機驅動IGBT過流和短路保護的問題及處理方法-工業(yè)電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導通損耗的一些權衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅動器電路以及過流檢測 和保護功能的重要性。以下內容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機驅動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護的問題。
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      • 關鍵字：
                        工業(yè)電機  驅動器  IGBT  短路保護                          
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      三種IGBT驅動電路和保護方法詳解
      
                                                            
        
                    	
      • 三種IGBT驅動電路和保護方法詳解-本文著重介紹三個IGBT驅動電路。驅動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅動電路起著至關重要的作用，以及對IGBT驅動電路的基本要求。
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      • 關鍵字：
                        IGBT  驅動電路  2SD315                          
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      IGBT式感應加熱電源常見缺陷簡要分析
      
                                                            
        
                    	
      • IGBT式感應加熱電源常見缺陷簡要分析-目前國內大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結構的感應加熱電源，這種結構的加熱電源能夠維持長時間高效工作，且安全性比較高，因此比較受到生產(chǎn)商和消費群體的歡迎。
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      • 關鍵字：
                        IGBT  電源管理  變壓器                          
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      幾種IGBT驅動電路的保護電路原理圖
      
                                                            
        
                    	
      • 幾種IGBT驅動電路的保護電路原理圖-本文為您介紹幾種常見的IGBT驅動電路原理及其保護電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅動電路、2SD315A集成驅動模塊，并附上電路原理圖。
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      • 關鍵字：
                        igbt  驅動電路  電路圖                          
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      IGBT在逆變電路中的測試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律
      
                                                            
        
                    	
      • IGBT在逆變電路中的測試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律-在設計緩沖電路時，應考慮到緩沖二極管內部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小，并盡量采用低感或無感電容。另外，緩沖電路的設計應盡可能近地聯(lián)接在lGBT模塊上。以上措施有助于減小緩沖電路的寄生電感。
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      • 關鍵字：
                        igbt  電容  電阻                          
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      雙電壓整流電路設計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
      
                                                            
        
                    	
      • 雙電壓整流電路設計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？-不用兩個整流橋。用一個即可，把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負極接整流橋負極-，2個串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭。這樣就可以在直流輸出端得到正負20伏的雙電源了。
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      • 關鍵字：
                        整流電路  晶閘管  igbt                          
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      什么是IGBT？如何使用此模塊實現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？
      
                                                            
        
                    	
      • 什么是IGBT？如何使用此模塊實現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
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      • 關鍵字：
                        igbt  散熱器  新能源汽車                          
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      電動汽車逆變器用IGBT驅動電源設計及可用性測試
      
                                                            
        
                    	
      • 電動汽車逆變器用IGBT驅動電源設計及可用性測試-電動汽車逆變器用于控制汽車主電機為汽車運行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅動電路是發(fā)揮IGBT性能的關鍵電路。
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                        igbt  電動汽車  逆變器                          
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      IGBT的結構與各種保護設計方法詳解
      
                                                            
        
                    	
      • IGBT的結構與各種保護設計方法詳解-GTR和MOSFET復合，結合二者的優(yōu)點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設備的主導器件。
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      絕緣柵雙極管(igbt)介紹
      
      			
      
		      	
      
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