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線性區(qū)
線性區(qū) 文章 進(jìn)入線性區(qū)技術(shù)社區(qū)
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開(kāi)機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動(dòng)，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線性區(qū) 欠壓保護(hù) 202103 MOSFET
無(wú)人機(jī)電池管理充放電MOSFET的選擇
- Selection of power MOSFET in drone battery power management 李全，劉松，張龍 ?。ㄈf(wàn)國(guó)半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070） 摘要：本文探討了無(wú)人機(jī)電池充放電管理系統(tǒng)的功率MOSFET在大電流關(guān)斷過(guò)程中發(fā)生失效損壞的原因，分別從功率MOSFET在大電流線性區(qū)工作時(shí)內(nèi)部電場(chǎng)分布、空穴電流分布的電流線分布說(shuō)明其線性區(qū)工作特點(diǎn)和熱累積效應(yīng)，提出了提高功率MOSFET線性區(qū)可靠性的方法。最后通過(guò)測(cè)試驗(yàn)證了方法的可行性和有效性?！ ?/li>
- 關(guān)鍵字： 201905 線性區(qū) 空穴電流 局部熱點(diǎn) 負(fù)溫度系數(shù)區(qū)
功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？
- 本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說(shuō)明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說(shuō)明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長(zhǎng)的時(shí)間工作在線性區(qū)的應(yīng)用中，必須采用實(shí)測(cè)的安全工作區(qū)理由。
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 安全工作區(qū) 線性區(qū) 熱電效應(yīng) 201903
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線性區(qū)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條線性區(qū)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)線性區(qū)的理解，并與今后在此搜索線性區(qū)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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