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            純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

            • 6月14日,純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前,NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成,最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成,并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹,該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn),以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性,并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
            • 關(guān)鍵字: 純化合物  半導(dǎo)體  RF GaN  
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            純化合物介紹

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