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米勒電容
米勒電容 文章 進(jìn)入米勒電容技術(shù)社區(qū)
米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)策
- 搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō)，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來(lái)看IGBT開(kāi)通時(shí)的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍(lán)色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開(kāi)通過(guò)程中，GE的電壓從-10V開(kāi)始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導(dǎo)通，開(kāi)始流過(guò)電流，同時(shí)CE電壓下降。CE電壓下降過(guò)程中，門(mén)極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺(tái)上，稱(chēng)為米勒平臺(tái)。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續(xù)上
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 米勒電容 米勒效應(yīng)
【E問(wèn)E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)
- 當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)?！ ?nbsp; 圖1：下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通 寄生米勒電容引起的導(dǎo)通 在半橋拓?fù)渲?，?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
- 關(guān)鍵字： 米勒電容 IGBT
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米勒電容介紹
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