第四代半導(dǎo)體文章進(jìn)入第四代半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)！

新能源汽車大勢(shì)之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時(shí)，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢(shì)待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報(bào)道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽(yáng)明交大電子所合作，雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破，提高了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性能。本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體P型氧化鎵的制造，并在其上重新生長(zhǎng)N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二極體，結(jié)果展
關(guān)鍵字：第四代半導(dǎo)體氧化鎵

近日，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長(zhǎng)技術(shù)和日盲光電探測(cè)器制備方面取得重要進(jìn)展，為β-Ga2O3異質(zhì)外延薄膜的大面積生長(zhǎng)和高性能的器件應(yīng)用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡(jiǎn)單二元組成，帶隙可調(diào)，制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)在日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。在β-Ga2O3薄膜生長(zhǎng)方面，研究團(tuán)隊(duì)利用分子束外延技術(shù)（MBE）實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長(zhǎng)。并通過(guò)改變反應(yīng)物前驅(qū)體和精密控制生長(zhǎng)參數(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了β-Ga2O3
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