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修改部分設(shè)計(jì)，三星第六代10納米級(jí)1cDRAM延后半年

韓國(guó)媒體MeyyToday報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器大廠三星將第六代10納米級(jí)1cDRAM制程開(kāi)發(fā)延后六個(gè)月到6月才完成。三星之前宣稱第六代10納米級(jí)1cDRAM制程2024年底開(kāi)發(fā)完并量產(chǎn)，但良率沒(méi)有提升，導(dǎo)致時(shí)程再延后半年，這會(huì)使預(yù)定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲(chǔ)器（HBM4）一并延后。報(bào)導(dǎo)引用市場(chǎng)人士說(shuō)法，三星第六代10納米級(jí)1c DRAM制程遇到困難。盡管市場(chǎng)在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個(gè)測(cè)試芯片，但因?yàn)闊o(wú)法達(dá)到預(yù)期的良率，因此將預(yù)定開(kāi)發(fā)完成的時(shí)間延后六個(gè)月。而在這六個(gè)月中，三星
關(guān)鍵字：三星第六代 10納米 1cDRAM

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
關(guān)鍵字： SK海力士第六代 10納米級(jí) DDR5 DRAM

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