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            EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

            春節(jié)不停工,武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地要在今年實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)?

            •   打造萬(wàn)億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群,推動(dòng)武漢經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團(tuán)圓之時(shí),仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅(jiān)守崗位,為城市發(fā)展貢獻(xiàn)“加速度”。過(guò)年期間,分布在譽(yù)為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目上,有超過(guò)2000多人堅(jiān)守崗位過(guò)大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬(wàn)億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。   在國(guó)家存儲(chǔ)器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室
            • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

            空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

            •   全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products,紐約證券交易所代碼:APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?! ∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是中國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。  空氣產(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開(kāi)始服務(wù)于這一項(xiàng)目,目前運(yùn)作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
            • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

            買(mǎi)個(gè)32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個(gè)G?看完你就懂了

            •   現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì),就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?  我們總是在說(shuō)手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實(shí)際
            • 關(guān)鍵字: eMMC  NAND   

            旺宏2017NOR市占達(dá)30%,稱霸全球

            •   旺宏昨日召開(kāi)財(cái)報(bào)會(huì)表示,2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%,旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)自于數(shù)據(jù)中心、電信與車(chē)用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲(chǔ)器占上季旺宏?duì)I收48%為最大產(chǎn)品線。   旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示,預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格仍穩(wěn)定微揚(yáng),旺宏不做低階產(chǎn)品,也仍看好SLC NAND市況,因此對(duì)今年?duì)I運(yùn)看法樂(lè)觀。   就短期來(lái)看,盧志遠(yuǎn)表示,本季整體需求預(yù)估會(huì)比去年第四季緩和;雖
            • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  

            3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來(lái)重大突破

            •   由于人們對(duì)周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺(jué)感知需求不斷增長(zhǎng),全球范圍的視頻監(jiān)控市場(chǎng)都在飛速發(fā)展。然而,所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應(yīng)方的經(jīng)濟(jì)狀況,以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性?! ?nbsp;     上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進(jìn),以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用。當(dāng)下,一些強(qiáng)大的新技術(shù)趨勢(shì)——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D 
            • 關(guān)鍵字: NAND  microSD  

            2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

            • 大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

            美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤(pán)

            •   美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD),該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤(pán)基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建,對(duì)于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對(duì)象和媒體流等在硬盤(pán)上無(wú)法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負(fù)載,可為其提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 SATA 平臺(tái)。   利用廣受好評(píng)的 5100 SATA 固態(tài)硬盤(pán)的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量,美光 5200 系列提
            • 關(guān)鍵字: 美光科技  NAND   

            2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

            •   2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash,都度過(guò)了一個(gè)黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊,但NAND部分,恐怕就不會(huì)那么樂(lè)觀了,由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供給吃緊,屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。   DRAM無(wú)新增產(chǎn)能   首先就DRAM部分,以大方向來(lái)說(shuō),2018年在Fab端并無(wú)新增產(chǎn)能,頂多就
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

            Linux驅(qū)動(dòng)之Nand Flash四問(wèn),原理、工作方式都包含了

            •   Nand Flash 是一個(gè)存儲(chǔ)芯片?! ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù),把數(shù)據(jù)B寫(xiě)到地址A”  問(wèn)1:原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線,怎么傳輸?shù)刂?  答:在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰 ?wèn)2:從Nand Flash芯片手冊(cè)可知,要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令,怎么傳入命令?! 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂罚矀鬏斆睢 ‘?dāng)ALE為高
            • 關(guān)鍵字: Linux  Nand   

            3D NAND存儲(chǔ)助力智能手機(jī)應(yīng)用進(jìn)入新時(shí)代

            •   前言  全球的智能手機(jī)用戶一直在不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應(yīng)用,而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來(lái)支持?jǐn)z影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步?! ≡谀承┑貐^(qū),智能手機(jī)是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備,因此用戶對(duì)它們的依賴程度非常高,已經(jīng)習(xí)慣于讓手機(jī)不間斷地運(yùn)行并管理他們的日常生活。中國(guó)擁有全球最大智能手機(jī)用戶群,這些用戶經(jīng)常使用高級(jí)在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財(cái)付通
            • 關(guān)鍵字: NAND  存儲(chǔ)  

            美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲(chǔ)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)

            •   美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲(chǔ)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開(kāi)發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場(chǎng)?! 〈舜伟l(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開(kāi)發(fā),該技術(shù)將在 2018 年末交付,并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后,兩家公司將獨(dú)
            • 關(guān)鍵字: 美光科技  NAND   

            存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過(guò)剩

            • 三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà),新產(chǎn)能將在2019年后開(kāi)出,屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過(guò)于求。
            • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

            ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

            •   Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器,為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp;    圖1 Nand-Flash與eMMC芯片  1.1存儲(chǔ)器件使用壽命  使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
            • 關(guān)鍵字: Nand-Flash  eMMC  

            東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

            •   2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年,零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠商的營(yíng)收,同時(shí)還對(duì)獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以,當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo),東芝就最新宣布,將拿出 70 億日?qǐng)A的金額,準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7),地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。   事實(shí)上,目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中,預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
            • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

            明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

            • DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。
            • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  
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            第九代 v-nand介紹

            您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
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