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      8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

      • 據科友半導體官微消息,12月10日,“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上,以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為,科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務,成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術和新工藝,建立了碳化硅襯底生產的工藝流程,制定了相關工藝流程的作業(yè)指導書,一致同意項目通過階段驗收評審。據了解,8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目,由哈爾濱科友半導體承擔,旨在推動8英寸碳化硅裝備國
      • 關鍵字: 碳化硅  科友半導體  第三代半導體材料  

      國內8英寸SiC傳來新進展

      • 近年來,汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長,并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上,國內廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代,實現8英寸拋光片的開發(fā),晶片性能參數與6英寸晶片相當,今年二季度將實現小批量生產;天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規(guī)模量產,同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期,科友半導體傳來了新消息。6月22日,科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術,在晶體尺寸、厚度
      • 關鍵字: 8英寸  SiC  科友半導體  
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      科友半導體介紹

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