碳化硅！ 文章 進入碳化硅！技術(shù)社區(qū)
EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時候
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8英寸碳化硅時代呼嘯而來！
- 近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
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碳化硅，跨入高速軌道
- 正如業(yè)界預(yù)期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產(chǎn)能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關(guān)公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)
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8英寸碳化硅，如火如荼
- 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預(yù)計2025年開始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱，預(yù)計從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，英
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英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠
- IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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碳化硅半導體--電動汽車和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運行。為了進一步推動這些可持續(xù)解決方案，
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碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
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安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進電氣化轉(zhuǎn)型
- 新聞要點●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達 50%●? ?該平臺采用經(jīng)過實際驗證的平面架構(gòu)，以獨特方式降低了導通損耗和開關(guān)損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時間●? ?安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品 ? ? ?面對不斷升級
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環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國至多4億美元補助
- 當?shù)貢r間7月17日，美國商務(wù)部宣布與全球第三大半導體晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應(yīng)鏈。據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表
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基本半導體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
- 引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
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碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠
- 作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達和航空航天等領(lǐng)域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統(tǒng)硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈上，關(guān)鍵部分主要集中
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