碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
新日本無線變身綜合電子元器件供應商
- ]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉型已經(jīng)初步完成。 電子元器件業(yè)務已占贏收85% 縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務構成主要是獨特的模擬技術和微
- 關鍵字： MEMS MOSFET 濾波器
EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優(yōu)勢快速推廣其技術和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉換市場份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406
首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)
- 5月29日，國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品， 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。 據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。 瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
- 關鍵字： 碳化硅 外延晶片
Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎?！ 峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
- 關鍵字： Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界
三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014
- 三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。 今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領域，包括：工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。 在新產(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
- 關鍵字： 三菱電機 PCIM 碳化硅
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?！ ∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構Yole Développement預計，從201
- 關鍵字： 美高森美 MOSFET SiC
開關電源技術產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況分析
- 開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構成。隨著電力電子技術的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關電源技術也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備，是當今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。 根據(jù)中國電源學會收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業(yè)類開關電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達到855億元，2009年達931億元，
- 關鍵字： 開關電源 MOSFET
耐高溫半導體解決方案日益受到市場歡迎
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場大范圍推廣?！ ≈Z衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術與 CISSOID 的技術及其產(chǎn)品組合完美結合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅(qū)動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調(diào)節(jié)器?！ ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
- 關鍵字： CISSOID 諾衛(wèi)卡 SiC
一款基于AN8026的變頻器電源設計方案
- 1.前言 變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動機驅(qū)動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。 變頻技術目前得到了廣泛的應用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標，作為基礎硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結構，主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
- 關鍵字： AN8026 MOSFET
用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法
- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
- 關鍵字： P-FET MOSFET
IR擴充StrongIRFET系列
- 國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流等?！ ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
- 關鍵字： IR StrongIRFET MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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