相變存儲器 文章 進入相變存儲器技術(shù)社區(qū)
恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫次數(shù)高達100萬次
- 近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫入速度有望達到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次
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中國半導體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實現(xiàn)“跨越趕超”
- “中國半導體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎，如果要趕超世界先進水平，必須要找準方向、加強合作。”現(xiàn)任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時說。 出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學教授、電機系主任，當天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導體科學領(lǐng)域做出重大貢獻的世界知名專家，他對中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿期盼。 馬佐平說：“事實上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設廠生產(chǎn)相變存儲器的可能性，而這在世界范圍
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恒憶推出新系列相變存儲器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫入速度有
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相變存儲器介紹
相變存儲器（phase change memory）,簡稱PCM，利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大
的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。
相變存儲器-物理變化
初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生.其實,相(phase)是物理化學上的一個概念,它指的是物體的化學性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相)，液態(tài)水（液相）以及固態(tài)水 [ 查看詳細 ]
相變存儲器視頻
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