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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> 相變內(nèi)存技術(shù)

      Ovonyx與奇夢達(dá)簽訂相變內(nèi)存技術(shù)許可協(xié)議

      • Ovonyx公司與奇夢達(dá)股份公司(NYSE:QI)宣布,雙方就采用Ovonyx和奇夢達(dá)的相變隨機存取存儲器(PCRAM)相關(guān)技術(shù)專利及知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存產(chǎn)品,簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定,Ovonyx公司將大力支持奇夢達(dá)相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術(shù),對PCRAM的情況非常了解,包括相變內(nèi)存設(shè)備、材料、加工、設(shè)計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
      • 關(guān)鍵字: Ovonyx  單片機  奇夢達(dá)  嵌入式系統(tǒng)  相變內(nèi)存技術(shù)  許可協(xié)議  存儲器  
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      相變內(nèi)存技術(shù)介紹

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