理解電弧能的測(cè)量、對(duì)比和控制方法

• 隨著薄膜產(chǎn)品對(duì)品質(zhì)和性能指標(biāo)要求的增加，現(xiàn)代等離子體薄膜沉積工藝必須考慮到電弧不可避免的影響，并將盡可能減輕電弧導(dǎo)致的損壞。對(duì)于大多數(shù)等離子體工藝而言，識(shí)別、測(cè)量和限制打弧發(fā)生期間傳輸?shù)降入x子體內(nèi)的能量大小一直是需要考慮的最重要因素之一。本文列出了常見(jiàn)電弧事件的電氣特性，描述了可重復(fù)測(cè)得電弧能的方法，提供了一些利用先進(jìn)等離子體電源通用特性來(lái)減少電弧發(fā)生時(shí)傳輸?shù)焦に囍须娀∧芰康募夹g(shù)，并給出支持這些技術(shù)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。01. 簡(jiǎn)介現(xiàn)代薄膜工藝工程師一直面臨在不犧牲薄膜品質(zhì)、性能和產(chǎn)率的前提下如何提高等離子體工藝產(chǎn)
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