熱模型 文章 進(jìn)入熱模型技術(shù)社區(qū)
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
面向 Vishay 光耦合器產(chǎn)品的新型熱模型可縮短設(shè)計(jì)時(shí)間
- Vishay 是率先為總功耗大于 200mW 的新器件提供 詳細(xì)熱數(shù)據(jù)的光耦合器與固體繼電器制造商 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代碼：VSH）宣布，該公司目前正在為最近推出的總功耗為 200mW 及更高的光耦合器及固體繼電器 (SSR) 提供詳細(xì)的熱特性數(shù)據(jù)。Vishay 是業(yè)界率先提供熱模型的光耦合器與 SSR 制
- 關(guān)鍵字： Vishay 單片機(jī) 電源技術(shù) 光耦合器產(chǎn)品 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 熱模型 設(shè)計(jì)時(shí)間
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