英特爾芯片技術(shù)40年來大突破 漏電量將銳減

• 　　6月13日消息，英特爾的基本晶體管設(shè)計取得了一項巨大的進(jìn)步。英特爾披露稱，它正在使用兩種全新的材料制作45納米晶體管的絕緣層和開關(guān)柵。 　　據(jù)chinapost.com.tw網(wǎng)站報道，英特爾下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多內(nèi)核處理器將使用數(shù)億個這種微型晶體管。英特爾稱，它有5個早期版本的產(chǎn)品正在運(yùn)行。這是英特爾計劃生產(chǎn)的15個45納米處理器中的第一個。 　　這種晶體管能夠讓英特爾繼續(xù)提供創(chuàng)紀(jì)錄的臺式電腦、筆記本電腦和服務(wù)器處理器的速度，同時減少晶體管的漏電量。晶
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