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溫度測(cè)試
溫度測(cè)試 文章 進(jìn)入溫度測(cè)試技術(shù)社區(qū)
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復(fù)雜的問(wèn)題,從芯片表面測(cè)量溫度,可以發(fā)現(xiàn)單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計(jì)一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計(jì)余量。這是一個(gè)MOSFET單管中的芯片,直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的,光標(biāo)1的位置與光標(biāo)2位置溫度
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設(shè)計(jì) 溫度測(cè)試
基于CPLD及鎢錸熱電偶溫度傳感器的爆炸場(chǎng)溫度動(dòng)態(tài)測(cè)試
- 為了測(cè)量爆炸場(chǎng)等惡劣環(huán)境下溫度的動(dòng)態(tài)變化,分析炸藥或相關(guān)彈藥的爆炸參數(shù),設(shè)計(jì)了基于CPLD的低功耗溫度存儲(chǔ)式測(cè)試系統(tǒng);運(yùn)用鎢錸熱電偶溫度傳感器匹配先進(jìn)的電源管理模塊,并結(jié)合動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)測(cè)試技術(shù),能夠應(yīng)用于環(huán)境條件比較差的惡劣環(huán)境中,在可靠可信、微功耗的基礎(chǔ)上能得到較好的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
- 關(guān)鍵字: 時(shí)序仿真 溫度測(cè)試 CPLD
TC-08溫度記錄儀在光學(xué)薄膜激光量熱吸收測(cè)試的應(yīng)用
- 摘要:在激光系統(tǒng)中,光學(xué)薄膜的抗激光強(qiáng)度較低,這是光學(xué)薄膜研究中最重要的問(wèn)題之一。測(cè)量光學(xué)薄膜對(duì)強(qiáng)激光的熱吸收情況對(duì)于光學(xué)薄膜的性能研究具有重大意義,而TC-08是一款可靠靈活的溫度記錄儀。本文介紹了利用TC-08溫度記錄儀“接觸式”地測(cè)試光學(xué)薄膜激光量熱吸收的測(cè)試,大大地?cái)U(kuò)展了TC-08在光電行業(yè)的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: 廣州虹科 光學(xué)薄膜 熱吸收 TC-08溫度記錄儀 溫度測(cè)試
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溫度測(cè)試介紹
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