混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

• 上周，IEEE電子元件與技術(shù)會(huì)議（ECTC）的研究人員推動(dòng)了一項(xiàng)對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合，將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管收縮速度普遍放緩。來自主要芯片制造商和大學(xué)的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進(jìn)，包括應(yīng)用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內(nèi)的一些研究小組顯示的結(jié)果可能導(dǎo)致3D堆疊芯片之間的連接密度達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的密度，即在一平方毫米的硅中約有700萬個(gè)鏈接。Imec設(shè)法在每2微米放置一次的
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