EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
深孔蝕刻
深孔蝕刻 文章 進(jìn)入深孔蝕刻技術(shù)社區(qū)
國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來(lái)自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻
| 共1條 1/1 1 |
深孔蝕刻介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條深孔蝕刻!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)深孔蝕刻的理解，并與今后在此搜索深孔蝕刻的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)深孔蝕刻的理解，并與今后在此搜索深孔蝕刻的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473