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海力士
海力士 文章 進(jìn)入海力士技術(shù)社區(qū)
海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程 主打26納米產(chǎn)品
- 韓國(guó)半導(dǎo)體大廠(chǎng)海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度
- 南韓半導(dǎo)體大廠(chǎng)海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性?xún)?nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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海力士半導(dǎo)體工廠(chǎng)蒸鍍?cè)O(shè)備氣體外泄
- 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠(chǎng)海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠(chǎng)發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)蒸鍍?cè)O(shè)備過(guò)程中，海力士合作廠(chǎng)2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。
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2010韓國(guó)電子制造設(shè)備業(yè)發(fā)展迅速
- 2010年韓國(guó)半導(dǎo)體、顯示器設(shè)備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷(xiāo)售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國(guó)僅2間企業(yè)年度銷(xiāo)售逾2,000億韓元，過(guò)去韓國(guó)半導(dǎo)體及顯示器設(shè)備國(guó)產(chǎn)業(yè)者積極推動(dòng)事業(yè)多元化及擴(kuò)大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)以建構(gòu)可永續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，目前正快速成長(zhǎng)中。根據(jù)韓國(guó)電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷(xiāo)售突破2,000億韓元的設(shè)備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)
- 2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪(fǎng)問(wèn)時(shí)，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?！?/li>
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海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開(kāi)發(fā)完畢
- 三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠(chǎng)海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開(kāi)發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范?！?/li>
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全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1
- 存儲(chǔ)器大廠(chǎng)海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)溃Ａκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠(chǎng)M12，未來(lái)若此座廠(chǎng)房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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海力士無(wú)錫項(xiàng)目三期融資4.5億美元
- 1月30日，海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司12英寸集成電路三期項(xiàng)目4.5億美元銀團(tuán)貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項(xiàng)目，由國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行江蘇省分行、中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國(guó)銀行、工商銀行、建設(shè)銀行、中信銀行共同參與組建銀團(tuán)，融資總額4.5億美元。這次銀團(tuán)簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目銀團(tuán)后的又一次成功合作。
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海力士介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國(guó)的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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