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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 文章 進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉(zhuǎn)換 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 碳化硅 SiC
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 硅功率器件 包絡(luò)跟蹤 電感損耗
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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理解，并與今后在此搜索氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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