英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

• ●? ?憑借這一突破性的?300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●? ?利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●? ?300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓?英飛凌科技股份公司近日宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。
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