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Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
- (新加坡 – 2013年5月16日) 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM 存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合，兩個(gè)產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)系統(tǒng)、先進(jìn)計(jì)算平臺(tái)、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴(yán)苛的存儲(chǔ)器應(yīng)用。 DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù)，該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標(biāo)準(zhǔn)1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2減
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