橋式結(jié)構(gòu) 文章 進入橋式結(jié)構(gòu)技術(shù)社區(qū)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
- 具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。本文的關(guān)鍵要點1 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
- 關(guān)鍵字： ROHM 橋式結(jié)構(gòu) 柵極
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
- 在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況?！?nbsp; 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
- 關(guān)鍵字： 羅姆 柵極，橋式結(jié)構(gòu)
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橋式結(jié)構(gòu)介紹
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