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      EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 柵極電阻

      新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

      • 摘要:分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性,以升壓斬波電路為載體,通過(guò)理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響,以及開(kāi)關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí),以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
      • 關(guān)鍵字: 功率器件  升壓斬波電路  柵極電阻  

      MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用

      • MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用, 1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過(guò)壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過(guò)壓產(chǎn)生)4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理,盡快泄放柵極電荷,
      • 關(guān)鍵字: Mos管  柵極電阻  工業(yè)電源  

      淺析柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響

      • 1 前言  用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
      • 關(guān)鍵字: IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)特性  性能影響    

      柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析

      •  1 前言  用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
      • 關(guān)鍵字: IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)特性  分析    

      使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)

      • 1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
      • 關(guān)鍵字: IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)    
      共5條 1/1 1

      柵極電阻介紹

        柵極電阻   中文名柵極電阻   拼 音shanjidianzu   解 釋采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置   應(yīng) 用驅(qū)動(dòng)器   目錄   1簡(jiǎn)介   2形成工藝方法   3計(jì)算   4設(shè)計(jì)、布局和疑難解答   柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì),采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí),N通道 [ 查看詳細(xì) ]

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