柵極感應(yīng) 文章 進(jìn)入柵極感應(yīng)技術(shù)社區(qū)
NAND閃存的下一個熱點：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC
| 共1條 1/1 1 |
柵極感應(yīng)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條柵極感應(yīng)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對柵極感應(yīng)的理解，并與今后在此搜索柵極感應(yīng)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對柵極感應(yīng)的理解，并與今后在此搜索柵極感應(yīng)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473