國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測(cè)試“火”力全開

• 挑戰(zhàn)驕陽(yáng)火焰山，何須芭蕉借又還。國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過樓蘭?！崗V州國(guó)創(chuàng)中心副總經(jīng)理8月14日，國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）邀請(qǐng)基本半導(dǎo)體等13家國(guó)內(nèi)整車和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實(shí)地開展“中國(guó)車規(guī)半導(dǎo)體首批測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”活動(dòng)，并舉行了車規(guī)半導(dǎo)體測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目高溫測(cè)試技術(shù)研討會(huì)。自2019年7月底開始，國(guó)創(chuàng)中心攜搭載了國(guó)產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的4輛試驗(yàn)車，在吐魯番進(jìn)行為期一個(gè)月的“極限高溫”
• 關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn)芯片  基本半導(dǎo)體  極限高溫測(cè)試