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暗場(chǎng)矽晶
暗場(chǎng)矽晶 文章 進(jìn)入暗場(chǎng)矽晶技術(shù)社區(qū)
專(zhuān)家觀點(diǎn)：暗場(chǎng)矽晶象征黑暗時(shí)代即將來(lái)臨？
- 雖然傳統(tǒng)的制程微縮得以在晶片中填入更多的電晶體，卻使得晶片永遠(yuǎn)處于更“黑暗”的狀態(tài)，而新興的單晶片 3D 技術(shù)可望讓晶片得以“重見(jiàn)光明”。 “暗場(chǎng)矽晶”(dark silicon)指的是晶片中必須斷電以避免過(guò)熱的部份。在2014年的國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上，ARM的總工程師Greg Yeric指出，在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)(包括16/14nm FinFET )時(shí)，暗矽的部份預(yù)計(jì)將占整個(gè)晶片面積的1/3，而到了5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)
- 關(guān)鍵字： 暗場(chǎng)矽晶 晶片
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暗場(chǎng)矽晶介紹
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