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      EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶閘管

      變頻器應(yīng)用中的干擾問(wèn)題及其對(duì)策

      • 在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,隨著變頻器等電力電子裝置的廣泛使用,系統(tǒng)的電磁干擾(EMI)日益嚴(yán)重,相應(yīng)的抗干擾設(shè)計(jì)...
      • 關(guān)鍵字: 變頻器  干擾  晶閘管  環(huán)流  

      高壓晶閘管串聯(lián)閥觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)

      • 隨著柔性交流輸電和高壓直流輸電設(shè)備在電力系統(tǒng)中越來(lái)越多的應(yīng)用,使晶閘管在高電壓大電流場(chǎng)合下的設(shè)計(jì)使...
      • 關(guān)鍵字: 晶閘管  串聯(lián)閥  觸發(fā)電路  

      高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展綜述

      • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳...
      • 關(guān)鍵字: 高能效  功率電子  晶閘管  智能電源  

      用EDA設(shè)計(jì)全數(shù)字三相昌閘管觸發(fā)器IP軟核

      • IP(IntellectualPropcrty)就是常說(shuō)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。美國(guó)Dataquest咨詢公司將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的IP定義為用于ASIC...
      • 關(guān)鍵字: IP核  晶閘管  EDA  VHDL  

      低壓無(wú)功補(bǔ)償中晶閘管電子開關(guān)模塊的特點(diǎn)與應(yīng)用

      • 分析了低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置的開關(guān)特點(diǎn),介紹了交流接觸器以及新型晶閘管電子開關(guān)模塊在無(wú)功補(bǔ)償裝置中的優(yōu)缺點(diǎn),同時(shí)對(duì)晶閘管電子開關(guān)模塊在用于投切時(shí)的情況進(jìn)行了模擬試驗(yàn),并給出了相關(guān)的波形。
      • 關(guān)鍵字: 低壓無(wú)功補(bǔ)償  晶閘管  電子開關(guān)  模塊    

      晶閘管SCR觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器及電路

      • 晶閘管SCR觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器及電路為觸發(fā)SCR開通,門極脈沖電流必須有足夠大的幅度和持續(xù)時(shí)間,以及盡可能短的電流上升時(shí)間。采用脈沖變壓器(PTR)和晶體管放大器(TRA)的驅(qū)動(dòng)器如右圖所示。
        左圖為SCR的一個(gè)簡(jiǎn)單光電隔離
      • 關(guān)鍵字: SCR  晶閘管  觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器  電路    

      中國(guó)南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

      •   新聞事件:   中國(guó)南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地   事件影響:   國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn)   9月8日,隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn)。   為滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求,打破國(guó)外公司的市場(chǎng)壟斷,推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模,中國(guó)南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ),總投資近3.5億元,于2006年年底
      • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶閘管  IGBT封裝  

      中國(guó)最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

      •   中國(guó)最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長(zhǎng)期以來(lái),高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場(chǎng)一直被國(guó)外壟斷,該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。   大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件,被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”,廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長(zhǎng)期以來(lái),國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口,價(jià)格昂貴,嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。   
      • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶閘管  IGBT  

      ST推出高溫柵靈敏型雙向晶閘管

      •   晶閘管和雙向晶閘管市場(chǎng)領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體推出首款柵靈敏度10mA、額定工作溫度高達(dá)150℃的雙向晶閘管。通過(guò)節(jié)省散熱器、柵驅(qū)動(dòng)電源和緩沖電路,新產(chǎn)品可以讓設(shè)計(jì)人員為加熱器、電機(jī)、小家電開發(fā)低成本的電源驅(qū)動(dòng)解決方案。   全新產(chǎn)品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大額定電流分別為4A、6A、8A和10A。10mA的低柵電流讓雙向晶閘管可直接進(jìn)行邏輯級(jí)開關(guān)操作,這個(gè)優(yōu)點(diǎn)可減少元器件的數(shù)量,降低電源的尺寸和成本。此外,柵電流低還可以讓晶閘管保持高動(dòng)態(tài)性能,在150℃時(shí),可以保持最小額
      • 關(guān)鍵字: ST  晶閘管  電源驅(qū)動(dòng)  緩沖電路  

      單片機(jī)芯片的三相半控整流電路設(shè)計(jì)

      一種基于TCF792的晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)

      晶閘管(SCR)原理

      •   晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,俗稱可控硅(SCR),其正式名稱應(yīng)是反向阻斷三端晶閘管。除此之外,在普通晶閘管的基礎(chǔ)上還派生出許多新型器件,它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor,F(xiàn)ST)、反向?qū)ǖ哪鎸?dǎo)晶閘管(reverse conducting thyristor,RCT)、兩個(gè)方向都具有開關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關(guān)斷的門極可關(guān)斷晶閘管(gate turn off thyristor,GTO)、門極輔助關(guān)斷晶閘管(g
      • 關(guān)鍵字: 晶閘管  半導(dǎo)體材料  

      晶閘管的保護(hù)措施

      • 1、 過(guò)電壓保護(hù)   晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,引發(fā)電路故障;當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管就會(huì)立即損壞。因此,必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。   過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾
      • 關(guān)鍵字: 晶閘管  半導(dǎo)體材料  
      共95條 6/7 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 »

      晶閘管介紹

      全稱晶體閘流管。俗稱可控硅。一種包含3個(gè)或3個(gè)以上PN結(jié),能從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài),或由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)電力電子器件。它泛指所有PNPN類型的開關(guān)管,也可表示這類開關(guān)管中的任一器件。自1957年美國(guó)貝爾電話實(shí)驗(yàn)室將第一只晶閘管用于工業(yè)領(lǐng)域以來(lái),由于它的優(yōu)異性能,很快受到各國(guó)重視。隨著新材料的出現(xiàn),新工藝的采用,單只晶閘管的電流容量從幾安發(fā)展到幾千安,耐壓等級(jí)從幾百伏提高到幾千伏,工作頻率大大提高,器件 [ 查看詳細(xì) ]

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