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晶圓減薄文章進(jìn)入晶圓減薄技術(shù)社區(qū)

宜特晶圓減薄能力達(dá)1.5mil

隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車蓬勃發(fā)展，對(duì)于低功耗要求越來越高，功率半導(dǎo)體成為這些產(chǎn)業(yè)勢不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進(jìn)。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過客戶肯定，成功開發(fā)晶圓減薄達(dá)1.5mil(38um)技術(shù)，技術(shù)門坎大突破。同時(shí)，為更專注服務(wù)國際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜
關(guān)鍵字：宜特晶圓減薄

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步

要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實(shí)現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
關(guān)鍵字：晶圓減薄 MOSFET

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晶圓減薄介紹

　　晶圓減薄　　集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步首先來源于市場需求的要求，其次是競爭的要求。在集成電路制造中，　　半導(dǎo)體硅材料由于其資源豐富，制造成本低，工藝性好，是集成電路重要的基體材料。　　從集成電路斷面結(jié)構(gòu)來看，大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。由于制造工藝的　　要求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。因此在幾百道工　　藝流程中，不可 [ 查看詳細(xì) ]

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