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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 快閃存儲器

            IBM擘劃快閃存儲器開發(fā)藍圖

            • IBM預計將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術(shù),為伺服器雙列直插式記憶體模組(DIMM)插槽加入 NAND 快閃記憶體(flash)。該公司并計劃在 DIMM 埠中采
            • 關(guān)鍵字: IBM  快閃存儲器   

            快閃存儲器儲存陣列市場滲透率成長強勁

            •   市場研究機構(gòu)IDC最近發(fā)布的一份報告指出,快閃記憶體儲存陣列的市場滲透率正在快速成長;該份報告顯示,包括全快閃記憶體陣列(all-flash arrays,AFA)以及混合快閃記憶體陣列(hybrid flash arrays,HFA)在內(nèi)的全球快閃記憶體陣列市場規(guī)模,在2014年可達113億美元。   IDC的報告指出,快閃記憶體陣列市場的成長動力,來自于越來越多廠商提供針對不同應用、支援越來越高復雜度工作任務(wù)的多樣化產(chǎn)品;“該市場的成長速度高過于我們預期,” IDC分析師
            • 關(guān)鍵字: 快閃存儲器  HFA  AFA  

            10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲

            •   市調(diào)機構(gòu)集邦科技預期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價看漲。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外,不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲,同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。   集邦科技指出,盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象,不過,海力士無錫廠復工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。   集邦預期,近期1至2個月
            • 關(guān)鍵字: 快閃存儲器  NAND  

            全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)

            •   全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上,宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù),試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外,同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù),進一步強化合作關(guān)系。   全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫,就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后,臺積電也于2010年宣布與ARM,合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內(nèi)的實體智財產(chǎn)品。   因
            • 關(guān)鍵字: 全球晶圓  90納米  快閃存儲器  
            共4條 1/1 1

            快閃存儲器介紹

              快閃存儲器   目錄   1概述   2限制   1概述   快閃存儲器(flash EPROM)是電子可擦除可編程只讀存儲器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形式??扉W存儲器允許在操作中多次擦或?qū)?,并具有非易失性,即單指保存?shù)據(jù)而言,它并不需要耗電。快閃存儲器和傳統(tǒng)的EEPROM不同在于它 [ 查看詳細 ]

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