異質(zhì)結(jié) 文章 進(jìn)入異質(zhì)結(jié)技術(shù)社區(qū)
高驅(qū)動(dòng)電流的隧穿器件設(shè)計(jì)
- 陳玉翔（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054） 摘?要：隧道場效應(yīng)晶體管（TFET）由于其獨(dú)特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計(jì)中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場效應(yīng)晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場效應(yīng)晶體管，用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
- 關(guān)鍵字： 202006 隧穿場效應(yīng)晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結(jié) 開態(tài)電流
高驅(qū)動(dòng)電流的隧穿器件設(shè)計(jì)
- 隧道場效應(yīng)晶體管（TFET）由于其獨(dú)特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計(jì)中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場效應(yīng)晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場效應(yīng)晶體管，用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開態(tài)電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
- 關(guān)鍵字： 隧穿場效應(yīng)晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結(jié) 開態(tài)電流
突破：二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)研究獲新進(jìn)展
- 最近，中科院半導(dǎo)體所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團(tuán)隊(duì)中，與美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)研究中取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在2013年9月30日美國化學(xué)學(xué)會(huì)主辦的《納米快報(bào)》(NanoLetters)上。 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)是由不同半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)構(gòu)。由于構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數(shù)、吸收系數(shù)等物理參數(shù)，異質(zhì)結(jié)將表現(xiàn)出許多不同于單一半導(dǎo)體材料的性質(zhì)。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 異質(zhì)結(jié)
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異質(zhì)結(jié)介紹
異質(zhì)結(jié)【heterojunction】 兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域。按照兩種材料的導(dǎo)電類型不同，異質(zhì)結(jié)可分為同型異質(zhì)結(jié)（P-p結(jié)或N-n結(jié)）和異型異質(zhì)(P-n或p-N)結(jié)，多層異質(zhì)結(jié)稱為異質(zhì)結(jié)構(gòu)。通常形成異質(zhì)結(jié)的條件是：兩種半導(dǎo)體有相似的晶體結(jié)構(gòu)、相近的原子間距和熱膨脹系數(shù)。利用界面合金、外延生長、真空淀積等技術(shù)，都可以制造異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)常具有兩種半導(dǎo)體各自的PN結(jié)都不能達(dá)到的優(yōu)良 [ 查看詳細(xì) ]
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