開關損耗 文章 進入開關損耗技術社區(qū)
了解E類放大器中的開關損耗
- 在本文中，我們研究了非零開關轉換時間如何影響E類功率放大器的效率。通常假設具有理想組件的E級效率為100%。在實踐中，有幾個非理想因素會降低E類放大器的效率。在本文中，我們將只討論一個：實際開關的非零轉換時間。了解這種損耗機制可以幫助我們更真實地估計放大器的性能，并實現(xiàn)更準確的熱系統(tǒng)設計。如果您從“E類功率放大器簡介”開始閱讀本系列文章，您可能還記得這些放大器的負載網(wǎng)絡旨在最大限度地減少開關損耗。即使使用非理想晶體管，設計良好的E級的導通開關損耗也可能接近于零。然而，關斷開關損耗可能相當大，我們很快就會看
- 關鍵字： E類放大器，開關損耗
雙極性結型晶體管的開關損耗
- 在SPICE仿真的幫助下，我們研究了當BJT用作開關時發(fā)生的兩種類型的功耗。雙極性結型晶體管（BJT）既可以用作小信號放大器，也可以用作開關。盡管現(xiàn)在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運算放大器要方便有效得多——但作為開關連接的BJT仍然很常見。BJT開關通常用于阻斷或向有刷直流電機、燈或螺線管等負載輸送電流。它們有時也出現(xiàn)在更高頻率的開關應用中，如開關模式調(diào)節(jié)器或D類放大器。圖1顯示了BJT開關的兩種常見應用：高強度LED照明（左）和繼電器控制（右）。兩個開關都由微控制器上的通用輸入/輸出
- 關鍵字： LTspice 雙極性結型晶體管 開關損耗
MOSFET開關損耗簡介
- 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關模式調(diào)節(jié)器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關鍵字： MOSFET 開關損耗
簡單的速率控制技術可降低開通能耗
- Wolfgang?Frank?（英飛凌） 摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達）中的開關損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運行中是無法自主進行調(diào)整的?！ ”疚膶⒔榻B一種通過并聯(lián)常規(guī)柵極驅動芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進有關的表征數(shù)據(jù)的評估?！ ￡P鍵詞：馬達；開關損耗；EMI；開關電壓斜率；柵極驅動 0 引言 連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個優(yōu)化目標。首先，應通過選擇電阻值較小的
- 關鍵字： 202006 馬達 開關損耗 EMI 開關電壓斜率 柵極驅動
開關調(diào)節(jié)器的效率（忽略交疊開關損耗）
- 了解了開關管V和續(xù)流二極管D的電流D（見圖d、e）就可以計算電路的損耗和效率。若電流流過開關管V和二極管D...
- 關鍵字： 開關調(diào)節(jié)器 開關損耗
開關調(diào)節(jié)器的效率（考慮交疊開關損耗）
- 交疊開關損耗（或稱為電壓電流重疊損耗），可以根據(jù)某時段內(nèi)電壓電流的動態(tài)曲線按照上升電流和下降電壓的斜率...
- 關鍵字： 開關調(diào)節(jié)器 開關損耗
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